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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5131 个

  • sip封装工艺,sip封装有哪几种-KIA MOS管

    sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。

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    www.kiaic.com/article/detail/5755.html         2025-06-27

  • 快恢复二极管(frd)好坏判断,测量方法-KIA MOS管

    快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5754.html         2025-06-27

  • 整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,​KCT2213A参数-KIA MOS管

    KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的dv/dt能力测试，高坚固性，在同步整流、电机控制、锂电池保护板中广泛应用，高效稳定?；封装形式...

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    www.kiaic.com/article/detail/5753.html         2025-06-26

  • 稳压二极管(zener diode)的原理,工作状态-KIA MOS管

    稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的电阻，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起稳压作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/5752.html         2025-06-26

  • 单结晶体管(ujt)的工作原理,结构特性详解-KIA MOS管

    单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端，各引出一个电极，分别称第一基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处，用扩散法掺入P型...

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    www.kiaic.com/article/detail/5751.html         2025-06-26

  • dc直流转换器,320a40v,​1004mos管,KCT1004M参数-KIA MOS管

    KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超低栅极电荷，降低驱动需求，最小化开关损耗；100%经过雪崩测试，可靠坚固，在DC直流转换器、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5750.html         2025-06-25

  • MOS管开启电压定义,mos管开启电压一般多少-KIA MOS管

    在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/5749.html         2025-06-25

  • FET详解,MOSFET结构原理,场效应管作用-KIA MOS管

    场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极，栅极，漏极，源极。

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    www.kiaic.com/article/detail/5748.html         2025-06-25

  • 锂电池保护板,​80v130a场效应管,2908mos管,​KNP2908C-KIA MOS管

    KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；具有快速的开关时间、出色的雪崩特性，高效稳定；高耐用性、改进的dv/dt能力、1...

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    www.kiaic.com/article/detail/5747.html         2025-06-24

  • ao3400参数,30v5.8a mos管,KIA3400参数代换-KIA MOS管

    ao3400场效应管代换型号?KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信...

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    www.kiaic.com/article/detail/5746.html         2025-06-24

  • ESD静电防护标准,ESD测试标准和方法-KIA MOS管

    1、esd静电防护标准是GB21148-2020。这是我国关于静电防护的主要标准之一，它规定了静电防护的相关要求和测试方法该标准强调了对防静电电阻值的要求。2、防静电国家标准GB21148-2020 对防静电电阻值要求为大于100kΩ和小于或等于1000MΩ，即100kΩ<电阻值≤...

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    www.kiaic.com/article/detail/5745.html         2025-06-24

  • 逆变器电源管理,150a80vmos管,KNM2808A场效应管参数-KIA MOS管

    KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），在...

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    www.kiaic.com/article/detail/5744.html         2025-06-23

  • 氙气灯安定器电路原理,作用详解-KIA MOS管

    氙气灯安定器的原理是将汽车蓄电池的12V直流电压，通过一系列电子转换与控制步骤，产生一个瞬间23000V的点火高压对灯头进行点火，点亮后再维持 85V 的交流电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/5743.html         2025-06-23

  • ss34二极管参数封装图,ss34二极管作用-KIA MOS管

    SS34肖特基二极管，具有高速开关特性和低正向压降，反向击穿电压可达40V，正向电流最大可达3A，适用于高频整流和开关电路。ss34二极管常用在小电流的（模型）电调上，用于电路瞬间整流。

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    www.kiaic.com/article/detail/5742.html         2025-06-23

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